$560.65
24小时
+5.62%
10月25日 23:30
预计MI450及2027年产品将提升HBM堆叠密度
中性+8.49%
AI 摘要
作者报道了关于英伟达(NVIDIA)和超威半导体(AMD)下一代AI芯片的HBM堆叠配置的供应链更新,指出行业正转向更高密度的内存解决方案。
大新证券
云服务商(CSPs)和AI实验室:云服务商和AI实验室曾要求开发用于低端推理产品的低堆叠HBM产品,例如4高和6高配置。这些计划目前似乎已被搁置,8高再次成为最低堆叠高度。
英伟达(NVIDIA):由于基础芯片供应受限以及客户优先考虑带宽而非成本效率的要求,Rubin的规格发生了变化。原计划是混合使用8高和12高的HBM,但8高选项似乎已被取消。对于定于2027年发布的Rubin Ultra,目前正在进行多次架构变体的流片。初始版本预计将采用最高规格的8高HBM4,而后续版本预计将采用8高或12高的HBM4E。
超威半导体(AMD):AMD预计将在其2027年的产品中混合使用8高和12高的HBM4。一个值得注意的发展是即将推出的MI450,预计其CoWoS封装内的HBM堆叠数量将增加到12个,提供288GB的HBM4。每个CoWoS封装中HBM堆叠从8个增加到12个,对HBM内容在中长期的增长是一个积极的发展。
OpenAI和Anthropic:OpenAI预计将采用12高的HBM4,而Anthropic预计将使用8高的HBM4。